Sposób i urządzenie do pomiaru właściwości fizycznych warstw półprzewodnikowych

Nazwa technologii

Sposób i urządzenie do pomiaru właściwości fizycznych warstw półprzewodnikowych

Abstrakt (krótki opis oferowanej technologii)

Przedmiotem oferty jest urządzenie oraz sposób pomiarów właściwości fizycznych warstw półprzewodnikowych, znajdujących zastosowanie podczas wytwarzania cienkich warstw materiałów półprzewodnikowych znajdujących się w ruchu. Urządzenie oraz sposób chronione jest zgłoszeniem patentowym P.433833

Szczegóły technologiczne i opis oferowanej technologii

Pomiar polega na oświetleniu światłem o bardzo wąskim lub o bardzo szerokim widmie warstwy półprzewodnikowej podczas jej osadzania. Podłoże, na którym jest osadzana warstwa półprzewodnikowa podczas procesu znajduje się w ruchu. W wyniku interakcji wiązki światła z warstwą półprzewodnikową dochodzi do zmiany kształtu charakterystyki widmowej światła. Analizując zmianę kształtu widma światła można wyznaczyć parametry fizyczne.

Urządzenie pomiarowe wykorzystywane do wyżej wymienionego sposobu pomiarowego zaprojektowano do pracy z reaktorami, w których podłoże znajduje się w ruchu cyklicznym podczas osadzania warstw półprzewodnikowych.

Docelowe branże dla oferowanej technologii

Urządzenie może zostać wykorzystane w procesie produkcji układów scalonych takich jak diody led, tranzystor, lasery, procesory na różnym etapie technologicznym. Urządzenie i opatentowany sposób pomiarów analizuje powstające wykrzywienie podłoża półprzewodnikowego. Tego typu odkształcenie prowadzić może do zwiększonej odpadowości procesu- im większe wykrzywienie powierzchni w procesie tym mniej elementów (ledów, tranzystorów) można otrzymać.

Innowacyjność i korzyści z zastosowania technologii

• Zmniejszenie odpadowości procesu poprzez analizę jednorodności wytwarzanej warstwy półprzewodnikowej wynikającej z niejednorodnych warunków procesu;
• Możliwości wykrywania problemów technologicznych na bardzo wstępnym etapie;
• Dostępność rynkowa urządzenia – na rynku dostępne są głównie urządzenia zagranicznych producentów, co przekłada się również na wysoką cenę;
• Pomiary spektralne umożliwiają określenie równocześnie wielu bardzo ważnych parametrów parametrów warstw półprzewodnikowych;
• Pomiary szeroko spektralne w odróżnieni do pomiarów wąsko widmowych lub punktowych są w stanie zaobserwować anomalie od procesu technologicznego np. zwiększony poziom zanieczyszczania reagentów.

Poziom gotowości wdrożeniowej oferowanej technologii

TRL 3 – Potwierdzono analitycznie i eksperymentalnie założenia dotyczące technologii

Poziom gotowości wdrożeniowej oferowanej technologii (old)

Technologia zweryfikowana w warunkach operacyjnych

Oferta technologiczna do pobrania

Imię i nazwisko konsultanta

Tomasz Marciniszyn

Numer telefonu stacjonarnego

713204195

Adres e-mail

tomasz.marciniszyn@pwr.edu.pl

Adres do korespondencji

ul. Smoluchowskiego 48, 50-372 Wrocław